FJD5555数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
FJD5555 |
参数属性 | FJD5555 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 5A TO252AA |
功能描述 | 高电压快速开关晶体管 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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FJD5555规格书详情
描述 Description
FJD5555是一款1050 V 5 A NPN硅外延平面晶体管。 FJD5555设计用于高速开关应用,采用业界标准的表面贴装TO-252 (DPAK)封装,提供设计灵活性以及出色的功耗性能。
特性 Features
•高电压能力
•高开关速度
•宽安全工作范围
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FJD5555属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJD5555晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:FJD5555
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:Silicon Transistor
- VCE(sat) Max (V)
:1.5
- IC Cont. (A)
:5
- VCEO Min (V)
:400
- VCBO (V)
:1050
- VEBO (V)
:14
- VBE(sat) (V)
:1.2
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:20
- hFE Max
:40
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:100
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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3800 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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23+ |
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