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FIR7N65BPG	文件：4.33285 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：4.33285 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR7N65BPG(I版)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
FIR7N65FG	文件：2.82486 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：2.82486 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR7N65LG	文件：3.73969 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：3.73969 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FQA7N65C	文件：722.05 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. 文件：722.05 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

ID [A]：
7
VGS [±V]：
±30
VGS(th) [V]：
2~4
RDS(on) [MΩ]：
1.2
Package：
TO-251

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FIR7N65BPG供应商更新时间2025-10-10 14:50:00

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