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FIR7N60FG	文件：5.2866 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：5.2866 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR7N60FG	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管 / 高压MOSFERs	First 福斯特	First
MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on) 文件：122.09 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on) 文件：118.14 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGP7N60ED	文件：144.18 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both 文件：144.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

ID_Tc=25℃：
7
ID_Tc=100℃：
4
VGS(V)：
±30
MIN(V)：
2
MAX(V)：
4
at Vgs=10V_Tpy：
1
at Vgs=10V_Max：
1.2
Type：
N
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FIR7N60FG供应商更新时间2026-4-14 14:55:00

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