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FHF20N65A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	FeiHong 飞虹	FeiHong
FHF20N65A	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FIR20N65AFG	文件：2.68488 Mbytes Page：8 Pages	Low Intrinsic Capacitances 文件：2.68488 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR20N65FG	文件：8.63665 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：8.63665 Mbytes 页数：10 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
GB20N65FS	文件：1.38001 Mbytes Page：9 Pages	650V/20A Field Stop IGBT Features 650V 20A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@20A Field Stop IGBT Technology. 10μs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation 文件：1.38001 Mbytes 页数：9 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

技术参数

漏源电压(Vdss)：
650V
连续漏极电流(Id)：
20A
功率(Pd)：
62.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
4V@250uA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星宇佳科技有限公司	FHF20N65A	FeiHong(飞虹)	20+	TO-220F-3	50		询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	FHF2N60	FAIRCHILD/仙童	24+	NA/	3274	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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更多FHF20N65A供应商更新时间2025-11-4 15:01:00

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