FIR20N65AFG说明书PDF资料原装现货福斯特-114ic电子网

首页 >FIR20N65AFG>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
FIR20N65AFG	文件：2.68488 Mbytes Page：8 Pages	Low Intrinsic Capacitances 文件：2.68488 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR20N65AFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	First 福斯特	First
FIR20N65AFG(T)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
FIR20N65FG	文件：8.63665 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：8.63665 Mbytes 页数：10 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
GB20N65FS	文件：1.38001 Mbytes Page：9 Pages	650V/20A Field Stop IGBT Features 650V 20A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@20A Field Stop IGBT Technology. 10μs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation 文件：1.38001 Mbytes 页数：9 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
GB20N65SEK	文件：1.38025 Mbytes Page：9 Pages	650V/20A Field Stop IGBT Features 650V 20A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@20A Field Stop IGBT Technology. 10μs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation 文件：1.38025 Mbytes 页数：9 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

更多FIR20N65AFG供应商更新时间2026-2-2 15:05:00