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FHF12N65C	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FIR12N65FG	文件：2.99316 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-G 文件：2.99316 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FMF12N65	文件：378.57 Kbytes Page：7 Pages	12Amps 650 Voltage N Channel MOSFET 文件：378.57 Kbytes 页数：7 Pages	FCI 富加宜	FCI
FQP12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET ■Features Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Te 文件：473.94 Kbytes 页数：7 Pages	HAOHAI 浩海电子	HAOHAI

技术参数

漏源电压(Vdss)：
650V
连续漏极电流(Id)：
12A
功率(Pd)：
54W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
5V@250uA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FHF12N65C供应商更新时间2025-11-4 11:01:00

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