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HIL40N120VF	文件：851.66 Kbytes Page：8 Pages	1200VFieldStopTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXEH40N120	文件：81.98 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBT NPT3IGBTwithoptionaldiode Features •NPT3IGBT -lowsaturationvoltage -positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimizedperformanceinresonantcircuits •optionalHiPerFREDTMdiode -fastreverserecovery -	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXEH40N120	文件：326.81 Kbytes Page：2 Pages	NPTIGBT DESCRIPTION ·Fastswitching ·Fastreverserecovery ·Lowoperatingforwardvoltage ·Positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling APPLICATIONS ·DCdrivesandchoppers ·Uninteruptiblepowersupplies(UPS) ·Inductiveheating,cookers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXRH40N120	文件：115.91 Kbytes Page：5 Pages	IGBTwithReverseBlockingcapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXYH40N120	文件：429.08 Kbytes Page：3 Pages	High-SpeedIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=4.0V(Max)@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KGF40N120KDA	文件：1.58455 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF40N120KDF	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MIW40N120	文件：2.05509 Mbytes Page：6 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features •LowVce(sat)，FastSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compl	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW40N120-BP	文件：2.05509 Mbytes Page：6 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features •LowVce(sat)，FastSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compl	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW40N120FLA	文件：4.19321 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW40N120FLA-BP	文件：4.19321 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
NGTB40N120FLWG	文件：190.3 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N120IHLWG	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N120IHRWG	文件：182.89 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N120LWG	文件：177.8 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N120SWG	文件：89.94 Kbytes Page：5 Pages	IGBT-InverterWelding	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SCM40N120PCT	文件：440.74 Kbytes Page：5 Pages	1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
SCM40N120PS	文件：451.95 Kbytes Page：5 Pages	1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
STGW40N120KD	文件：763.2 Kbytes Page：15 Pages	40A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TSG40N120	文件：661.94 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
FGW40N120VD
制造商：
Fuji Electric
功能描述：
IGBT 40A 1200V Trench-FS V Series TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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