首页>NGTB40N120IHRWG>规格书详情

NGTB40N120IHRWG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGTB40N120IHRWG
厂商型号

NGTB40N120IHRWG

参数属性

NGTB40N120IHRWG 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 80A 384W TO247

功能描述

IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode
IGBT 1200V 80A 384W TO247

文件大小

182.89 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-18 8:02:00

NGTB40N120IHRWG规格书详情

NGTB40N120IHRWG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGTB40N120IHRWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB40N120IHRWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.55V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    950µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/230ns

  • 测试条件:

    600V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 1200V 80A 384W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
TO-247
8800
公司只做原装正品
询价
ON/安森美
21+
TO-247
26880
公司只有原装
询价
ON/安森美
6000
询价
ON/安森美
22+
TO-247
10000
十年沉淀唯有原装
询价
ON/安森美
6000
询价
onsemi(安森美)
23+
TO2473
6000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
ON/安森美
2023+
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
ON/安森美
22+
TO-247
6000
只做原装,假一赔十
询价
ON Semiconductor
2010+
N/A
248
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价