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NGTB35N60FL2WG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGTB35N60FL2WG
厂商型号

NGTB35N60FL2WG

参数属性

NGTB35N60FL2WG 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247

功能描述

IGBT - Field Stop II
IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247

文件大小

99.52 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 19:00:00

NGTB35N60FL2WG规格书详情

NGTB35N60FL2WG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。安森美半导体公司制造生产的NGTB35N60FL2WG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB35N60FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    840µJ(开),280µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    72ns/132ns

  • 测试条件:

    400V,35A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247

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