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IXEH40N120	文件：81.98 Kbytes Page：4 Pages	NPT3 IGBT NPT3 IGBT with optional diode Features • NPT3 IGBT - low saturation voltage - positive temperature coefficient for easy paralleling - fast switching - short tail current for optimized performance in resonant circuits • optional HiPerFREDTM diode - fast reverse recovery - 文件：81.98 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXEH40N120	文件：326.81 Kbytes Page：2 Pages	NPT IGBT DESCRIPTION · Fast switching · Fast reverse recovery · Low operating forward voltage · Positive temperature coefficient for easy paralleling APPLICATIONS · DC drives and choppers · Uninteruptible power supplies (UPS) · Inductive heating, cookers 文件：326.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXEH40N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT3 IGBT	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXEH40N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXEH40N120D1	文件：240.32 Kbytes Page：2 Pages	NPT IGBT DESCRIPTION · Fast switching · Fast reverse recovery · Low operating forward voltage · Positive temperature coefficient for easy paralleling APPLICATIONS · DC drives and choppers · Uninteruptible power supplies (UPS) · Inductive heating, cookers 文件：240.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXEH40N120D1	文件：81.98 Kbytes Page：4 Pages	NPT3 IGBT NPT3 IGBT with optional diode Features • NPT3 IGBT - low saturation voltage - positive temperature coefficient for easy paralleling - fast switching - short tail current for optimized performance in resonant circuits • optional HiPerFREDTM diode - fast reverse recovery - 文件：81.98 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXEH40N120D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT3 IGBT NPT3 IGBT with optional diode • NPT3 IGBT\n - low saturation voltage\n - positive temperature coefficient for easy paralleling\n - fast switching\n - short tail current for optimized performance in resonant circuits\n• optional HiPerFREDTM diode\n - fast reverse recovery\n - low operating forward voltage\n - low le;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXEH40N120D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXEH40N120
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，40A
开关能量：
6.1mJ（开），3mJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
600V，40A，39 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXEH40N120		24+		8866		询价
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