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SFF20N60N	文件：220.67 Kbytes Page：2 Pages	20AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SFF20N60P	文件：220.67 Kbytes Page：2 Pages	20AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SGB20N60	文件：795.82 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGB20N60	文件：275.85 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGH20N60RUF	文件：541.37 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH20N60RUFD	文件：628.02 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH20N60RUFDTU	文件：683.67 Kbytes Page：8 Pages	SGH20N60RUFDShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP20N60	文件：540.1 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP20N60	文件：275.85 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP20N60	文件：80.25 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP20N60HS	文件：388.34 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP20N60RUF	文件：540.1 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
FGP20N60UFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，20A
开关能量：
380µJ（开），260µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/87ns
测试条件：
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 40A 165W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGP20N60UFDTU供应商更新时间2024-5-16 23:26:00

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