Hyperfast II Rectifier

Description The FFD04H60S is a hyperfast II diode and silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction. This device is intended for use as freewheeling/clamping diodes in a variety of switching power supplies and other power switching applications. Its low stored charge and

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：DPAK；Package：TO-252；4Ampere,600Volt Single Surface Mount Type Hyperfast Recovery Epitaxial Diode

文件：1.11776 Mbytes 页数：3 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

40 A、600 V 超高速 II 代二极管

FFD04H60S 是一款超高速 II 代二极管，采用氮化硅钝化离子植入外延层平面结构。 该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/钳位二极管。 其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。 •超高速恢复，Trr = 60 ns（需 IF= 4 A）\n•最大正向电压，VF=2.1 V（需 TC=25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

ONSEMI

安森美半导体