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FFD04H60S中文资料40 A、600 V 超高速 II 代二极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FFD04H60S

参数属性

FFD04H60S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

功能描述

40 A、600 V 超高速 II 代二极管
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:06:00

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FFD04H60S规格书详情

描述 Description

FFD04H60S 是一款超高速 II 代二极管,采用氮化硅钝化离子植入外延层平面结构。 该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/钳位二极管。 其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。

特性 Features

•超高速恢复,Trr = 60 ns(需 IF= 4 A)
•最大正向电压,VF=2.1 V(需 TC=25°C)
•600 V 反向电压和高可靠性
•雪崩能量额定值
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 照明

简介

FFD04H60S属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的FFD04H60S二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FFD04H60S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Type

    :Single

  • IO(rec) Max (A)

    :4

  • trr Max (ns)

    :60

  • VRRM Max (V)

    :600

  • VFM Max (V)

    :2.1

  • IFSM Max (A)

    :40

  • IR Max (mA)

    :0.1

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
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60000
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20+
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24+
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23+
TO252
2600
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