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FF8	文件：75.63 Kbytes Page：2 Pages	NAC Expander/Power Supply 文件：75.63 Kbytes 页数：2 Pages	GAMEWELL-FCI	GAMEWELL-FCI
FF800R12KE7	文件：729.17 Kbytes Page：15 Pages	62 mm C-Series module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 800 A / ICRM = 1600 A - TRENCHSTOPTM IGBT7 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - Standard housing - 4 kV AC 1 min insulation - High creepage and clearance distances - High power density - Isolate 文件：729.17 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF800R12KE7_E	文件：691.16 Kbytes Page：15 Pages	62 mm C-Series module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode Features • Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 800 A / ICRM = 1600 A - TRENCHSTOPTM IGBT7 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - High creepage and clearance distances - High power density - Isolated base plate - Pack 文件：691.16 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF8MR12W1M1H_B11	文件：556.99 Kbytes Page：16 Pages	EasyDUAL module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 100 A / IDRM = 200 A - Low inductive design - Low switching losses • Mechanical features - PressFIT contact technology - Integrated NTC temperature sensor - Rugged mounting due to integrated mounting clamps 文件：556.99 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF8MR12W1M1H_B70	文件：553.72 Kbytes Page：16 Pages	EasyDUAL module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 100 A / IDRM = 200 A - Low inductive design - Low switching losses • Mechanical features - PressFIT contact technology - Integrated NTC temperature sensor - Rugged mounting due to integrated mounting clamps - AlN substrate with low t 文件：553.72 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF800R06KF1	文件：365.7 Kbytes Page：4 Pages	IGBT High-Power Module 文件：365.7 Kbytes 页数：4 Pages	eupec	eupec
FF800R12KE3	文件：146.2 Kbytes Page：9 Pages	Technische Information / technical information 文件：146.2 Kbytes 页数：9 Pages	eupec	eupec
FF800R12KF4	文件：365.7 Kbytes Page：4 Pages	IGBT High-Power Module 文件：365.7 Kbytes 页数：4 Pages	eupec	eupec
FF800R12KF4	文件：157.92 Kbytes Page：4 Pages	IGBT-CONVERTER 文件：157.92 Kbytes 页数：4 Pages	eupec	eupec
FF800R17KE3	文件：423.08 Kbytes Page：8 Pages	IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter 文件：423.08 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Green：
no
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Dual
Technology：
IGBT3 - E3
IC(nom) / IF(nom)：
800 A
OPN：
FF800R12KE3NOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.7 V
VF Tvj=25°C typ：
2.2 V
Qualification：
Industrial
Housing：
IHM
Dimensions length：
130 mm
Dimensions width：
140 mm
Package name：
A-IHM130

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