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FF300R17ME7_B11	文件：701.54 Kbytes Page：17 Pages	EconoDUAL™3 module with TRENCHSTOP™IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC Features •Electricalfeatures -VCES=1700V -ICnom=300A/ICRM=600A -Integratedtemperaturesensor -Highcurrentdensity -LowVCE,sat -Overloadoperationupto175°C -TRENCHSTOPTMIGBT7 -VCE,satwithpositivetemperaturecoefficient -SuitableInfineongatedriverscanb	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF31N20D	文件：1.29941 Mbytes Page：6 Pages	THINKI 40A,200V Matured Planar N-Channel Power MOSFETs Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FF33MR12W1M1H_B11	文件：680.11 Kbytes Page：16 Pages	EasyDUAL module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC Features •Electricalfeatures -VDSS=1200V -IDN=25A/IDRM=50A -Lowinductivedesign -Lowswitchinglosses •Mechanicalfeatures -Ruggedmountingduetointegratedmountingclamps -PressFITcontacttechnology -IntegratedNTCtemperaturesensor Potentialapplications •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF33MR12W1M1HP_B11	文件：677.53 Kbytes Page：16 Pages	EasyDUAL module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM Features •Electricalfeatures -VDSS=1200V -IDN=25A/IDRM=50A -Lowinductivedesign -Lowswitchinglosses •Mechanicalfeatures -Ruggedmountingduetointegratedmountingclamps -PressFITcontacttechnology -IntegratedNTCtemperaturesensor -Pre-appliedthermalinterf	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF3MR12KM1H	文件：600.51 Kbytes Page：13 Pages	62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET Features •Electricalfeatures -VDSS=1200V -IDN=280A/IDRM=560A -Highcurrentdensity -Lowswitchinglosses •Mechanicalfeatures -4kVAC1mininsulation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF3MR12KM1HP	文件：624.42 Kbytes Page：13 Pages	62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material Features •Electricalfeatures -VDSS=1200V -IDN=280A/IDRM=560A -Highcurrentdensity -Lowswitchinglosses •Mechanicalfeatures -4kVAC1mininsulation -Pre-appliedthermalinterfacematerial	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF3MR20KM1H	文件：533.75 Kbytes Page：15 Pages	62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET Features •Electricalfeatures -VDSS=2000V -IDN=400A/IDRM=800A -Lowswitchinglosses -Highcurrentdensity •Mechanicalfeatures -4kVAC1mininsulation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF3MR20KM1H_S	文件：739.14 Kbytes Page：15 Pages	62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET Features •Electricalfeatures -VDSS=2000V -IDN=400A/IDRM=800A -Lowswitchinglosses -Highcurrentdensity -SuitableInfineongatedriverscanbefoundunderhttps://www.infineon.com/gdfinder •Mechanicalfeatures -4kVAC1mininsulation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF3MR20KM1HP	文件：715.46 Kbytes Page：15 Pages	62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material Features •Electricalfeatures -VDSS=2000V -IDN=400A/IDRM=800A -Lowswitchinglosses -Highcurrentdensity •Mechanicalfeatures -4kVAC1mininsulation -Pre-appliedthermalinterfacematerial	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF3MR20W3M1H_H11	文件：823.87 Kbytes Page：18 Pages	EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and High Current Pin / NTC Features •Electricalfeatures -VDSS=2000V -IDN=400A/IDRM=640A -Lowswitchinglosses -Highcurrentdensity -SuitableInfineongatedriverscanbefoundunderhttps://www.infineon.com/gdfinder •Mechanicalfeatures -3.2kVAC1minuteinsulation -Highcurrentpin -Press	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
600 V
Configuration：
Dual
Technology：
IGBT3 - E3
IC(nom) / IF(nom)：
300 A
OPN：
FF300R06KE3HOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.45 V
VF Tvj=25°C typ：
1.55 V
Qualification：
Industrial
Housing：
62 mm
Dimensions length：
106.4 mm
Dimensions width：
61.4 mm
Package name：
AG-62MM

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更多FF3供应商更新时间2025-7-28 15:01:00

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