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FF300R12KS4

FF300R12KS4

英飞凌62MM

500

26+
1
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10
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100
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FF300R12KS4 是英飞凌（Infineon）生产的 1200V/300A IGBT 功率模块，采用 62mm 封装，适用于工业电源转换、电机驱动和逆变器等高功率应用场景 。

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FF300R17KE3

FF300R17KE3

INFINEONIGBT

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深圳市宇集芯电子有限公司

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FF300R12KT4

FF300R12KT4

INFINEONN/A

12000

26+
1+
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深圳市芯纬度科技有限公司

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FF300R12KT4

FF300R12KT4

INFINEON/英飞凌IGBT模块

90

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FF300R12KT4

Infineon(英飞凌)标准封装

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FF300R07KE4

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Infineon(英飞凌)原装

12590

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Infineon(英飞凌)IGBT管/模块FF300R07KE4即刻询购立享优惠#长期有货

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FF300R17KE4

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INFINEONMODULE

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FF300R17ME4

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INFINEON/英飞凌MODULE

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FF300R12KE3

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EUPEC模块

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深圳青禾创新科技有限公司

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FF300R17ME4

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Infineon(英飞凌)原装

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深圳市创盛芯科技有限公司

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FF300R12ME4

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INFINEON/英飞凌IGBT

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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FF300R17KE3

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INFINEONN/A

70000

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深圳市三芯电子有限公司

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FF300R12KS4

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Infineon(英飞凌)

12000

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全新原装现货

深圳市高捷芯城科技有限公司

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FF300R12KT4

Infineon(英飞凌)AG-62MM-1

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FF300R12KT4

Infineon(英飞凌)AG-62MM-1

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深圳市华睿芯科技有限公司

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FF300R12KT4PHOSA1

Infineon TechnologiesModule

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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FF300R12MS4

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FF300R12KS4HOSA1

INFINEONN/A

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只做原装,实单最低价支持

深圳市正纳电子有限公司

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FF300R12KS4

INFINEONMODULE

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深圳市能元时代电子有限公司

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FF300R12KT4

infineon/英飞凌MODULE

3000

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FF300R17KE4价格

FF300R17KE4价格：￥1142.9512品牌：INFINEON

生产厂家品牌为INFINEON的FF300R17KE4多少钱，想知道FF300R17KE4价格是多少？参考价：￥1142.9512。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FF300R17KE4批发价格及采购报价，FF300R17KE4销售排行榜及行情走势，FF300R17KE4报价。

FF300R12KT4资讯

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FF300R12KT4 原装现货 支持实单

FF300R12ME4 全新现货，质量保证

FF300R12ME4 IGBT模块 IGBT 1200V 300A

FF300R12KT4 全新现货，质量保证

FF300R12KT4 IGBT模块 MEDIUM POWER 62MM

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FF300R12KS4，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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FF300R12KT4中文资料Alldatasheet PDF

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FF300R06KE3功能描述:IGBT 模块 N-CH 600V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R06KE3_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R06ME3功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R07ME4_B11功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 300A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R12KE3功能描述:IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

FF300R12KE3_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R12KE4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R12KE4_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF300R12KF2功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW060

FF300R12KS4制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100774_EUPEC DUAL HALFBRIDGE_TY_RO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 300A 1200V 62mm C-Series

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