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FF225R17ME4P数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FF225R17ME4P

参数属性

FF225R17ME4P 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1700V 450A 20MW

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1700V 450A 20MW

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FF225R17ME4P规格书详情

描述 Description

EconoDUAL™31700V,225A 半桥双  IGBT 模块,采用第四代低饱和快速TRENCHSTOP™ IGBT、发射极控制3二极管和预涂热界面材料。还可提供采用压接技术的型号:FF225R17ME4P_B11.

特性 Features

• 直流和交流易于分离
• 优化外壳到散热片的热电阻
• 高功率密度可实现紧凑型逆变器设计

优势:
• 紧凑型模块
• 组装简单、可靠
• 无需插头和电缆
• 低感应系统设计的理想选择

简介

FF225R17ME4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF225R17ME4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF225R17ME4P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1700 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :225 A

  • OPN

    :FF225R17ME4PBPSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.95 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.8 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoDUAL™ 3

  • Features

    :TIM

  • Dimensions length

    :152 mm

  • Dimensions width

    :62 mm

  • Package name

    :AG-ECONOD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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