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FF150R12KE3G	文件：288.33 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode 62mmC-seriesmodulewiththetrench/fieldstopIGBT3andEmconHighEfficiencydiode	eupeceupec GmbH 欧派克
FF150R12KE3G	文件：425.1 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mmC-seriesmodulewiththetrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF150R12KE3GB2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE VCES 1200V 150A	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FF150R12KE3GHOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 225A 780W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FS150R12KE3	文件：159.65 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-Module IGBT-inverter diode-inverter NTC-thermistor	eupeceupec GmbH 欧派克
FS150R12KE3	文件：351.74 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-modules	eupeceupec GmbH 欧派克
FS150R12KE3G	文件：1.9076 Mbytes Page：33 Pages	EvaluationDriverBoardsforEconoDUAL™3andEconoPACK™modules The2ED100E12-F2andthe6ED100E12-F2EvaluationDriverBoardofferthefollowingfeatures: DualchannelIGBTdriverin2ED100E12-F2version,adaptedforusewithIGBT4 SixchannelIGBTdriverin6ED100E12-F2version Electricallyandmechanicallysuitablefor600Vand1200VEconoDUAL™3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
FF150R12KE3G
功能描述：
IGBT 模块 1200V 150A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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