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FF150R12KE3G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FF150R12KE3G |
| 参数属性 | FF150R12KE3G 封装/外壳为模块；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 225A 780W |
| 功能描述 | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
425.1 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 | INFINEON |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | FF150R12KE3G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FF150R12KE3G规格书详情
FF150R12KE3G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的FF150R12KE3G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode
产品属性
更多- 产品编号：
FF150R12KE3GHOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
C
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
单斩波器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，150A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 225A 780W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
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Infineon |
专业模块 |
MODULE |
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23+ |
NA |
20000 |
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