| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon/英飞凌Module |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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1050 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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InfineonModules |
540 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFIENONIGBT |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7298 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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欧派克NA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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Infineonmodule |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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InfineonMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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InfineonMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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EUPEC2IGBT150 |
65000 |
2023+ |
现货原装正品公司优 |
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江苏芯钻时代电子科技有限公司1年
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INFINEONMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
FF150R12KE3G采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FF150R12KE3G图片
FF150R12KE3G价格
FF150R12KE3G价格：￥645.7166品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FF150R12KE3G多少钱，想知道FF150R12KE3G价格是多少？参考价：￥645.7166。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FF150R12KE3G批发价格及采购报价，FF150R12KE3G销售排行榜及行情走势，FF150R12KE3G报价。
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100%全新原装德国英飞凌IGBT模块FF150R12KE3G 规格:电流150A电压1200V 数量：120 封装：模块 品牌:英飞凌 包装:1盒/10个 备注:品牌图片货源价格参数资料正品 更多详情请登陆我们的网站www.yyd99.com或来电咨询 深圳市优
FF150R12KE3G中文资料Alldatasheet PDF
更多FF150R12KE3G功能描述:IGBT 模块 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF150R12KE3G_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF150R12KE3G_B2,C-SERIE制造商:Infineon Technologies AG
