Digital FET, P-Channel

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FAIRCHILD

仙童半导体

Digital FET, P-Channel

ONSEMI

安森美半导体

Digital FET, P-Channel

General Description This P-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially f

文件：170.17 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel Enhancement MOSFET

■ Features ● VDS(V)=-30V ● ID=-4.2A(VGS=-10V) ● RDS(ON)

文件：1.82418 Mbytes 页数：5 Pages

UMW

友台半导体

P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)

文件：1.63437 Mbytes 页数：5 Pages

EVVOSEMI

翊欧

Digital FET, P-Channel

文件：63.91 Kbytes 页数：4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件：1.039829 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，数字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω

此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。 该器件特别为电池供电应用设计，例如笔记本电脑和手机。 该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。 •-25V、-0.46A（连续值）、-1.5A（峰值） RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。\n•栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。\n•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。\n•紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装。;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel MOSFET

XW

芯微半导体

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET P-CHANNEL

ONSEMI

安森美半导体