FDV304P中文资料P 沟道，数字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。 该器件特别为电池供电应用设计，例如笔记本电脑和手机。 该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。

特性 Features

•-25V、-0.46A（连续值）、-1.5A（峰值） RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
•栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
•紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDV304P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDV304P晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。