FDV301N数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻，这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

特性 Features

•25 V，0.22 A持续电流，0.5 A峰值电流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V，RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
•栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th)
• Gate-Source Zener for ESD ruggedness.>6kV Human Body Model
• Replace multiple NPN digital transistors with one DMOSFET

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.