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FDV301N	文件：97.95 Kbytes Page：5 Pages	丝印：301；Package：SOT-23；Digital FET , N-Channel General Description This N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for 文件：97.95 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDV301N	文件：281.39 Kbytes Page：7 Pages	Digital FET , N-Channel General Description This N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially fo 文件：281.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDV301N	文件：390.31 Kbytes Page：7 Pages	丝印：301；Package：SOT-23；Load Switch for Portable Applications FEATURES VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：390.31 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDV301N	文件：306.28 Kbytes Page：7 Pages	丝印：301；Package：SOT-23；MOSFET FEATURES VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：306.28 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FDV301N	文件：1.82926 Mbytes Page：4 Pages	丝印：301；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET 文件：1.82926 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FDV301N-NL	文件：1.88305 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.88305 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FDV301N	文件：300 bytes Page：1 Pages	25V N-Channel MOSFET	Plingsemic 鹏领半导体	Plingsemic
FDV301N	文件：300 bytes Page：1 Pages	25V N-Channel MOSFET	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
FDV301N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET(场效应管）	JIAXUN 佳讯电子	JIAXUN

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.06
ID Max (A)：
0.22
PD Max (W)：
0.35
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
5000
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4000
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.49
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.49
Ciss Typ (pF)：
9.5
Package Type：
SOT-23-3

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