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MAX9933EUA+T	文件：268.2 Kbytes Page：16 Pages	2MHzto1.6GHz45dBRF-DetectingControllersandRFDetector	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX9933EUA+T	文件：232.46 Kbytes Page：15 Pages	2MHzto1.6GHz45dBRF-DetectingControllersandRFDetector GeneralDescription TheMAX9930–MAX9933low-cost,low-powerlogarithmicamplifiersaredesignedtocontrolRFpoweramplifiers(PA)andtransimpedanceamplifiers(TIA),andtodetectRFpowerlevels.Thesedevicesaredesignedtooperateinthe2MHzto1.6GHzfrequencyrange. Features ♦	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MY9933	文件：86.16 Kbytes Page：1 Pages	3ChannelsConstantCurrentLEDDriverWithSingle-lineAddressingDMX512ProtocolandDifferentialInterface	MY-SEMIMY-SEMI INC. 明阳半导体台湾明阳半导体股份有限公司	MY-SEMI
MY9933SC	文件：86.16 Kbytes Page：1 Pages	3ChannelsConstantCurrentLEDDriverWithSingle-lineAddressingDMX512ProtocolandDifferentialInterface	MY-SEMIMY-SEMI INC. 明阳半导体台湾明阳半导体股份有限公司	MY-SEMI
NDS9933	文件：191.77 Kbytes Page：8 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9933A	文件：191.77 Kbytes Page：8 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9933A-NL	文件：1.0589 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NI9933	文件：1.34575 Mbytes Page：5 Pages	CSeriesAnalogOutputModules	NI National Instruments Inc.	NI
NI9933	文件：1.51274 Mbytes Page：6 Pages	CSeriesAnalogInputModules	NI National Instruments Inc.	NI
NI9933	文件：1.68285 Mbytes Page：6 Pages	CSeriesDigitalOutputandRelayModules	NI National Instruments Inc.	NI

详细参数

型号：
FDS9933A_Q
功能描述：
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDS9933A_Q供应商更新时间2025-5-15 17:47:00

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