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FDS8984中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,7A,23mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS8984

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,7A,23mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 21:07:00

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FDS8984规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•最大 rDS(on) = 23 mΩ(VGS = 10 V、ID = 7 A 时)
•最大 rDS(on) = 30 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 6 A 时)
•低栅极电荷
•100% 经过 RG测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS8984

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :2.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :5

  • Ciss Typ (pF)

    :475

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
NA
6800
原装正品,力挺实单
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ON/安森美
18+
SO-8
5000
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FAIRCHILD/仙童
22+
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100000
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