FDS6681Z中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-20A，4.6mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6681Z规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而定制。
• 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•
• -20 A,-30V
• RDS(ON) = 4.6 mΩ （VGS = -10V 时）
• RDS(ON) = 6.5 mΩ （VGS = -4.5V 时）
• 扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
• HBM ESD保护等级，典型值为8KV（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力
• 终端无引线且符合RoHS标准
• Extended VGSS range (–25V) for battery applications
• HBM ESD protection level of 8kV typical (note 3)
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability
• Termination is Lead-free and RoHS Compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDS6681Z
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-20
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：6.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.6
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：12
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：105
- Ciss Typ (pF)
：7540
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOP8 |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
NA |
22500 |
询价 | |||
FDS6681Z |
24+ |
SOP |
156089 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOP-8 |
42898 |
只做原装!原厂和代理商的搬运工! |
询价 | ||
FSC |
25+ |
DIP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
UMW(广东友台半导体) |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
12+ |
SOP8 |
96 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOP8 |
8000 |
原装，正品 |
询价 |
