N 沟道 PowerTrench® SyncFET™，30V，11.5A，10.0mΩ

FDS6680AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6680AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDS6680AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDS6680并联一个肖特基二极管的性能相似。 •11.5A, 30V\n•RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10V\n•RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（22nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体