30V N-Channel PowerTrench SyncFET?

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件：1.00885 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，13.5A，9.0mΩ

FDS6670AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供一个低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6670AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 •13.5A，30V RDS(on) = 9.0 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 11.5mΩ @ VGS = 4.5V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（27nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver

Richtek

立锜科技

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

ONSEMI

安森美半导体