Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40 V, 6.1 A, 26 m廓 P-Channel: -40 V, -5.2 A, 39 m廓

General Description These dual N- and P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features Q1: N-Channel ■ Max rDS(on) = 26 m

文件：413.53 Kbytes 页数：10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features •

文件：159.97 Kbytes 页数：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：1.18672 Mbytes 页数：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V

这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • Q1： N沟道 \n• 最大值 RDS(on) = 26mΩ（VGS = 10V，ID = 6.1A）\n• 最大值 RDS(on) = 31mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.6A）Q2： P沟道\n• 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = -10V，ID = -5.2A）;

ONSEMI

安森美半导体

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • Q1： N沟道6.2A，40V\n• RDS(ON) = 29 mΩ @ VGS = 10V\n• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体