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FDPF2D3N10C	文件：439.18 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 文件：439.18 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDPF2D3N10C	文件：318.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDPF2D3N10C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，222A，2.3mΩ This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. • Max RDS(on) = 2.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 222 A\n• Power Density & Shielded Gate\n• High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)\n• High power density with Shielded gate technology\n• Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr\n• Low Vds spike internal snubber function.\n• Low Gate ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP2D3N10C	文件：439.18 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 文件：439.18 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP2D3N10C	文件：327.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：327.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP2D3N10C	文件：439.18 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 文件：439.18 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
4
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
222
PD Max (W)：
45
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
108
Ciss Typ (pF)：
7980
Package Type：
TO-220-3 FullPak

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更多FDPF2D3N10C供应商更新时间2025-10-6 16:12:00

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