500V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，16A，380mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 380mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 8.3A\n•低栅极电荷（典型值 32nC)\n•低 Crss（典型值 20pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，500 V，15 A，480 mΩ，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20 V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性 •RDS(on) = 370mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 7.5A栅极电荷低（典型值：32nC)\n•低 Crss（典型值20pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 性能\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体