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FDP13AN06A0	文件：300.08 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5mΩ Features •rDS(ON)= 11.5mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID= 62A •Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge •Low QRRBody Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • Mot 文件：300.08 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP13AN06A0	文件：332.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：332.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP13AN06A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP20AN06A0	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市科雨电子有限公司	FAIRCHILD
FDP2532	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童

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更多FDP13AN06A供应商更新时间2026-1-17 9:04:00