| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-220 |
10053 |
2105+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
950 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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TITI |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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仙童NA |
6800 |
20+ |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-220 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-220-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FSCTO220F |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSC |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
65200 |
21+ |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FSCTO220 |
308 |
1112+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO220 |
6000 |
23+ |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHILD原厂原封 |
6523 |
17+ |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SMD |
3000 |
23+ |
只做原装 深圳公司现货 十年信誉 |
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FDP150N10图片
FDP150N10A_F102价格
FDP150N10A_F102价格：￥5.8794品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FDP150N10A_F102多少钱，想知道FDP150N10A_F102价格是多少？参考价：￥5.8794。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FDP150N10A_F102批发价格及采购报价，FDP150N10A_F102销售排行榜及行情走势，FDP150N10A_F102报价。
FDP150N10资讯
FDP150N10 100V57A TO220 N沟道 功率MOS管 FAIRCHILD
深圳市轩嘉盛电子有限公司FDP150N10100V57ATO220FAIRCHILD
FDP150N10中文资料Alldatasheet PDF
更多FDP150N10功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDP150N10A功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FDP150N10A_F102功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
