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FDP085N10A中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,96A,8.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP085N10A

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,96A,8.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDP085N10A规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 7.35mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 96A
•快速开关速度
•低栅极电荷,QG = 31nC(典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 其他数据处理
• 电动自行车
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP085N10A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :96

  • PD Max (W)

    :188

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :31

  • Ciss Typ (pF)

    :2025

  • Package Type

    :TO-220-3

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