N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 75V, 164A, 4.7m廓

Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features • RDS(on) = 3.8mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 80A • Fast switc

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 164A, 4.7mOHM

General Description This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Description • RDS(on) = 3.9mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7mW

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7mW

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，164A，4.7mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 3.8mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 80A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，164 A，4.7 mΩ，TO-220

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 3.9mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 75A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体