FDP047N10中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FDP047N10规格书详情
General Description
This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
描述 Description
• RDS(on) = 3.9mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A
• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS(on)
• High power and current handing capability
• RoHS compliant
Application
• DC to DC converters / Synchronous Rectification
产品属性
- 型号：
FDP047N10
- 功能描述：
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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