N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，223A，2.7mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 2.21mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 100A\n•低FOM RDS(on) *QG\n•低反向恢复电荷，Qrr = 112nC\n•反向恢复软体二极管\n•使能高效同步整流\n•快速开关速度\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

包装：盒 类别：传感器，变送器 配件 描述：PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

Panasonic Industrial Automation Sales

包装：盒 类别：传感器，变送器 配件 描述：PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M

Panasonic Industrial Automation Sales

包装：散装 类别：连接器，互连器件 一件式线到板，直接线对板 描述：PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI

Adam Tech