40V N沟道PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 器件采用Fairchild先进的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。 • 最大值 rDS(on) = 0.85 mΩ（VGS = 10 V，ID = 47 A）\n• 低rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\n;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，300A，0.85mΩ

此 N 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 0.85 mΩ（VGS = 10 V、ID = 47 A）\n• 最大 rDS(on) = 1.2 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 38 A）\n• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on)和高效率\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

丝印：FDMS8350LET；Package：Power56；MOSFET N?륝hannel POWERTRENCH

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安森美半导体

1G Blanking Plate - Gunmeta

DESCRIPTION 1G Blanking Plate - Gunmeta

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1G Blanking Plate

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1G Blanking Plate - Pearl

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文件：224.06 Kbytes 页数：1 Pages

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