N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，76A，3.1mΩ

此 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关 PWM 控制器，专为提高 DC-DC 转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • 最大值 RDS(on) = 3.1 mΩ（VGS = 10 V, ID = 22 A时）\n• 最大值 RDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 19 A时）\n• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装\n• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：312.2 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs

General Description These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and batte

文件：134.74 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.23659 Mbytes 页数：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

GaAlAs Laser Diode

文件：93.98 Kbytes 页数：4 Pages

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