N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，123A，4.3mΩ

N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 44 A）\n• 最大值 rDS(on) = 10.4 mΩ（VGS = 6 V, ID = 22 A 时）\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n• 降低了开关噪声/EMI\n• MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

QFN-8

Fairchild

仙童半导体

上传：深圳市中联芯电子有限公司

QFN

ON/安森美

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QFN8

Fairchild

仙童半导体

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