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FDMS4D0N12C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，118A，4.0mΩ This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. • Shielded Gate MOSFET Technology\n• Max rDS(on) = 4.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 67 A\n• Max rDS(on) = 8.0 mΩ at VGS = 6 V, ID = 33 A\n• 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers\n• Lowers Switching Noise/EMI\n•MSL1 Robust Package Design\n•100% UIL Tested\n•RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS4D0N12C	文件：376.93 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, PQFN8 文件：376.93 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS6681Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD QFN-8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市中联芯电子有限公司	Fairchild
FDMS7682	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 QFN	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美
FDMS8018	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD QFN8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市宇创芯科技有限公司	Fairchild

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深圳市纳立科技有限公司	FDMS4D0N12C		三年内		1983	只做原装正品	询价
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深圳市达恩科技有限公司	FDMS4D0N12C	ON	24+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价

更多FDMS4D0N12C供应商更新时间2025-10-5 17:02:00