N 沟道 PowerTrench® SyncFETTM

FDMS2D4N03S 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 • 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 28 A）\n• 最大值 rDS(on) = 2.34 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 26 A）\n• 实现极低 rDS(on)的高性能技术\n•SyncFETTM肖特基体二极管\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

QFN-8

ON

上传：深圳市科芯源微电子有限公司

QFN-8

Fairchild

仙童半导体

上传：深圳市中联芯电子有限公司

QFN

ON/安森美

上传：深圳市创盛芯科技有限公司

SOT-23

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市乐创天科技有限公司