N 沟道，Power Trench® MOSFET，80V，20A，23mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •￭ VGS = 23 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 10 mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 4 A时，最大rDS(on) = 37mΩ\n•薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench MOSFET 80 V, 20 A, 23 milliohm

文件：305.4 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

CMOS 8-bit Single Chip Microcomputer

Description The CXP86212/86216, CXP86324/86332, CXP86440/86448/86460 are the CMOS 8-bit single chip microcomputer integrating on a single chip an A/D converter, serial interface, timer/counter, time-base timer, on-screen display function, I2C bus interface, PWM output, remote control reception

文件：354.63 Kbytes 页数：24 Pages

SonySony Corporation

索尼

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DFN8

ON

上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司

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Power-33x5-8

ON

上传：深圳市金嘉锐电子有限公司