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FDMC86248	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 Power Trench® MOSFET 150V，13A，90mΩ 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 3.4 A时，最大rDS(on) = 90mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 2.9 A时，最大rDS(on) = 125mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC86248	文件：262.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150 V, 13 A, 90 m廓文件：262.13 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMC86262P	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON N/A	ON 上传：深圳市特瑞斯科技有限公司	ON
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON DFN8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON Power-33x5-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
13
PD Max (W)：
36
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
90
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.7
Ciss Typ (pF)：
393
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMC86248供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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