Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 9.5 m廓 and 20 m廓

文件：483.78 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，9.5mΩ 和 20mΩ

该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。 • Q1： N沟道 \n• 最大值 RDS(on) = 32mΩ（VGS = 4.5V, ID = 5A）Q2： N沟道\n• 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 10 m廓, 20 m廓

文件：467.54 Kbytes 页数：12 Pages

Fairchild

仙童半导体

双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，10mΩ，20mΩ

该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。 • Q1： N 沟道 \n•最大值rDS(on) = 32 mΩ（ VGS = 4.5 V, ID = 5 A）Q2： N 沟道 \n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体