FDMC7660

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，20A，2.2mΩ; •VGS = 10V，ID = 20A时，最大rDS(on) = 2.2mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 18 A时，最大rDS(on) = 3.3mΩ\n•高性能技术可实现极低的rDS(on)\n•终端是符合RoHS标准的无铅产品\n;

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

FDMC7660

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

FDMC7660DC

DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs

DualCool™packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformanceflexibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece

FDMC7660DC

N 沟道，双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET，30V，40A，2.2mΩ; •Dual CoolÞ 顶侧冷却 PQFN 封装\n•最大 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 22 A）\n•VGS = 4.5 V，ID = 18 A时，Max rDS(on) = 3.3 mΩ\n•极低 rDS(on)的高性能技术\n•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品\n;

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

FDMC7660S

N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，20A，2.2mΩ; • 最大值 rDS(on)=2.2 mΩ（需 VGS=10 V、ID=20 A\n• 最大值 rDS(on)=2.95 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID=18 A\n•高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端无引线且符合RoHS标准\n;

FDMC7660S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的 rDS(on)。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

FDMC7660S

N-Channel Power Trench짰 SyncFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

GeneralDescription TheFDMC7660Shasbeendesignedtominimizelossesinpowerconversionapplications.AdvancementsinbothsiliconandpackagetechnologieshavebeencombinedtoofferthelowestrDS(on)whilemaintainingexcellentswitchingperformance.Thisdevicehastheaddedbenefitofan

FDMC7660_12

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓