N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，21A，4.4mΩ

FDMC0310AS 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的 rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。 • 最大值 RDS(on)=4.4 mΩ（需 VGS=10 V、ID=19 A）\n• 最大值 RDS(on)=5.2 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID =17.5 A）\n• 低 rDS(on) 和高效的高级硅封装\n• SyncFET™ 肖特基体二极管\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDMC0310AS；Package：MLP3.3X3.3；N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM30 V, 21 A, 4.4 m廓

文件：673.59 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MOS FET Power Amplifier Module for VHF Band

Features • Small package: 30 × 10 × 5.9 mm • High efficiency: 55 Typ • Low power control current: 0.5 mA Max

文件：36.84 Kbytes 页数：10 Pages

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE

Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip

文件：1.60012 Mbytes 页数：12 Pages

TECCOR

Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts

Features · Oxide-Glass passivated Junction · Bi-Directional protection in a single device · Surge capabilities up to 50A@10/1000us or 150A@8/20us · High Off-State impedance and Low On-State voltage · Plastic material has UL flammability classification 94V -0

文件：382 Kbytes 页数：4 Pages

MCC