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FDMC0310AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，21A，4.4mΩ FDMC0310AS 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的 rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。 • 最大值 RDS(on)=4.4 mΩ（需 VGS=10 V、ID=19 A）\n• 最大值 RDS(on)=5.2 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID =17.5 A）\n• 低 rDS(on) 和高效的高级硅封装\n• SyncFET™ 肖特基体二极管\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC0310AS	文件：673.59 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDMC0310AS；Package：MLP3.3X3.3；N-Channel PowerTrench짰 SyncFETTM30 V, 21 A, 4.4 m廓文件：673.59 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HFC0310	文件：440.98 Kbytes Page：17 Pages	Fixed-Frequency Flyback Controller 文件：440.98 Kbytes 页数：17 Pages	MPS 美国芯源	MPS
HFC0310	文件：464.78 Kbytes Page：10 Pages	Fixed-Frequency Flyback Converter EV Board 文件：464.78 Kbytes 页数：10 Pages	MPS 美国芯源	MPS
HFC0310GS	文件：440.98 Kbytes Page：17 Pages	Fixed-Frequency Flyback Controller 文件：440.98 Kbytes 页数：17 Pages	MPS 美国芯源	MPS

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