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FDMC013P030Z

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-54A,7.0mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺已针对 rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。 • 最大 rDS(on) = 7.0 mΩ(VGS = -10 V、ID = -14 A)\n• 最大 rDS(on) = 12.0 mΩ(VGS = -4.5 V、ID = -10 A)\n• 高性能沟槽技术可实现极低的 rDS(on)\n• 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装\n• 终端无引线且符合 RoHS 标准\n• HBM ESD 能力电平> 4 kV 典型值(注 4);

ONSEMI

安森美半导体

FDMC3612

QFN

ON/安森美

FDMC5614P

Power-33-8

ON

FDMC6676BZ

DFN-8

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳德田科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

FDMC6676BZ

QFN

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳德田科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -30

  • VGS Max (V):

    25

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -54

  • PD Max (W):

    30

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    12

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    58

  • Ciss Typ (pF):

    4130

  • Package Type:

    WDFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMC013P030Z供应商 更新时间2026-3-18 23:00:00