单 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V，-2.5A，13mΩ

该器件专门设计用于手机和其他超便携应用的电池充电或负载开关。它包含一个 MOSFET， 具有低通态电阻和抵抗 ESD 的齐纳二极管保护功能。 MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。 • 最大 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A）\n• 最大 rDS(on) = 16 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -1.4 A）\n• 最大 rDS(on) = 20 mΩ（VGS = -1.8 V、ID = -1.0 A）\n• 最大 rDS(on) = 30 mΩ（VGS = -1.5 V、ID = -0.85 A）\n•薄型 – 最大 0.8 mm，采用新型 MicroFET 封装2x2 mm\n• HBM ESD 保护电平>1 kV 典型值（注 3）\n• 无卤素化合物和锑氧化物\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

QFN

FAIRCHILD

仙童半导体

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QFN

FAIRCHILD

仙童半导体

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QFN

FAIRCHILD/仙童

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VDFN-6

ON

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